MJW21191G

MJW21191G onsemi


mjw21192-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 3962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
329+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 329
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJW21191G onsemi

Description: TRANS PNP 150V 8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції MJW21191G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJW21191G MJW21191G Виробник : onsemi mjw21192-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
MJW21191G MJW21191G Виробник : onsemi MJW21192_D-2315851.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товар відсутній