Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJW21194G
MJW21194G

MJW21194G ON Semiconductor

mjw21193-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+347.01 грн
120+304.40 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJW21194G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJW21194G за ціною від 183.94 грн до 403.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJW21194G MJW21194G ONSEMI MJW21193G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 200W
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+383.15 грн
10+283.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194G MJW21194G onsemi mjw21193-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO-247-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.34 грн
30+220.86 грн
120+183.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194G MJW21194G ONSEMI ONSM-S-A0013299591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194G MJW21194G onsemi mjw21193-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194G MJW21193G.PDF
MJW21194G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 200W
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+383.15 грн
10+283.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194G mjw21193-d.pdf
MJW21194G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO-247-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.34 грн
30+220.86 грн
120+183.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194G ONSM-S-A0013299591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJW21194G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194G mjw21193-d.pdf
MJW21194G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.