Продукція > ONSEMI > MJW21196G
MJW21196G

MJW21196G onsemi

MJW21195_D-2315975.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.98 грн
10+346.89 грн
30+172.78 грн
120+156.68 грн
210+149.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJW21196G onsemi

Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 16A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJW21196G за ціною від 179.93 грн до 391.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJW21196G MJW21196G Виробник : onsemi mjw21195-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.24 грн
10+251.21 грн
100+179.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196G MJW21196G Виробник : ONSEMI mjw21195-d.pdf Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.76 грн
10+335.09 грн
100+241.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196G MJW21196G Виробник : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196G MJW21196G Виробник : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196G MJW21196G Виробник : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196G MJW21196G Виробник : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196G MJW21196G Виробник : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196G MJW21196G Виробник : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.