MJW21196G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 426.74 грн |
| 10+ | 274.01 грн |
| 100+ | 196.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJW21196G onsemi
Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 16A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJW21196G за ціною від 162.11 грн до 537.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJW21196G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJW21196G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJW21196G | Виробник : ONSEMI |
MJW21196G NPN THT transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |