MJW3281AG ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 257.61 грн |
| 120+ | 236.82 грн |
| 270+ | 227.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJW3281AG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJW3281AG за ціною від 127.32 грн до 417.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJW3281AG | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 230V 15A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJW3281AG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJW3281AG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJW3281AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MJW3281AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MJW3281AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| MJW3281AG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 200W; TO247-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 230V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube |
товару немає в наявності |