Технічний опис MKE38P600LB Littelfuse
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 0.19µC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 660ns, Semiconductor structure: double series, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MKE38P600LB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MKE38P600LB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 660ns Semiconductor structure: double series кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
MKE38P600LB | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MKE38P600LB | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
MKE38P600LB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 660ns Semiconductor structure: double series |
товару немає в наявності |