MKE38P600LB

MKE38P600LB Littelfuse


discrete_mosfets_smpd_packages_mke38p600lb_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 9-Pin SMPD
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MKE38P600LB Littelfuse

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 0.19µC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 660ns, Semiconductor structure: double series, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MKE38P600LB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MKE38P600LB Виробник : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 660ns
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKE38P600LB Виробник : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKE38P600LB MKE38P600LB Виробник : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01-313747.pdf MOSFET SMPD MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MKE38P600LB Виробник : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 660ns
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.