Технічний опис MKE38RK600DFELB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 0.19µC, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: diode/transistor, Reverse recovery time: 50ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MKE38RK600DFELB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MKE38RK600DFELB | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 600V 50A 9-Pin SMPD-X Blister |
товар відсутній |
|
| MKE38RK600DFELB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: diode/transistor Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MKE38RK600DFELB | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A SMPD |
товар відсутній |
||
| MKE38RK600DFELB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SMPD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: diode/transistor Reverse recovery time: 50ns |
товар відсутній |