Технічний опис MKE38RK600DFELB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor, Mounting: SMD, Drain current: 50A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Reverse recovery time: 50ns, Semiconductor structure: diode/transistor, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.19µC, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 600V, Case: SMPD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MKE38RK600DFELB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MKE38RK600DFELB | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 600V 50A 9-Pin SMPD-X Blister |
товару немає в наявності |
|
| MKE38RK600DFELB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor Mounting: SMD Drain current: 50A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: diode/transistor Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Case: SMPD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| MKE38RK600DFELB | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A SMPD |
товару немає в наявності |
||
| MKE38RK600DFELB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; SMPD; diode/transistor Mounting: SMD Drain current: 50A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: diode/transistor Polarisation: unipolar Gate charge: 0.19µC Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Case: SMPD |
товару немає в наявності |