на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8992.36 грн |
| 12+ | 8312.28 грн |
| 30+ | 7083.14 грн |
| 54+ | 6966.91 грн |
| 102+ | 6704.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MKI50-12F7 IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 700 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MKI50-12F7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MKI50-12F7 | Виробник : IXYS | MKI50-12F7 IGBT modules |
товару немає в наявності |
||
| MKI50-12F7 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 350000mW 12-Pin |
товару немає в наявності |
||
| MKI50-12F7 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 700 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |