на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8139.84 грн |
| 12+ | 7524.24 грн |
| 30+ | 6411.63 грн |
| 54+ | 6306.41 грн |
| 102+ | 6068.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MKI50-12F7 IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 700 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MKI50-12F7 за ціною від 7418.3 грн до 7418.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MKI50-12F7 | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 700 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MKI50-12F7 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 350W Power dissipation: 350W Technology: HiPerFRED™; NPT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Application: motors Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 45A Topology: H-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
| MKI50-12F7 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 350000mW 12-Pin |
товар відсутній |
||||||
| MKI50-12F7 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 350W Power dissipation: 350W Technology: HiPerFRED™; NPT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Application: motors Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: E2-Pack Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 45A Topology: H-bridge |
товар відсутній |