
MMBD7000LT1G ON Semiconductor
на замовлення 91620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14151+ | 0.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBD7000LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBD7000LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBD7000LT1G за ціною від 0.78 грн до 10.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4893000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4893000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 45444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 91620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Case: SOT23 Kind of package: reel; tape |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V |
на замовлення 40423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G Код товару: 111121
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 150300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Case: SOT23 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBD7000LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |