
MMBD7000LT1G ON Semiconductor
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBD7000LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBD7000LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBD7000LT1G за ціною від 0.78 грн до 8.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3989438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3987000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 91620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 91620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V |
на замовлення 31120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 236065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G Код товару: 111121
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
MMBD7000LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBD7000LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |