MMBF0201NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.50 грн |
| 6000+ | 3.87 грн |
| 9000+ | 3.34 грн |
| 15000+ | 3.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF0201NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBF0201NLT1G за ціною від 3.53 грн до 30.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V |
на замовлення 18467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V 300mA N-Channel |
на замовлення 15474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MMBF0201NLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor: N-MOSFET ; unipolar ; 20V ; 0,24A ; 0,225W ; SOT23 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 MMBF0201NLT1G TMMBF0201n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|