
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF170LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBF170LT1G за ціною від 2.27 грн до 22.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 39959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 5Ω Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 5Ω Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 50259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 3939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 39959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MMBF170LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 8179 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |