на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF170LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBF170LT1G за ціною від 2.05 грн до 22.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 444000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 444000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF170LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 146338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8922 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF170LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 500mA N-Channel |
на замовлення 43637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| MMBF170LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6929 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
MMBF170LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |