MMBF170LT1G

MMBF170LT1G ON Semiconductor


mmbf170lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBF170LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBF170LT1G за ціною від 2.00 грн до 23.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
6000+2.82 грн
9000+2.55 грн
15000+2.32 грн
21000+2.16 грн
30000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.80 грн
9000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 447000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3199+3.85 грн
6000+3.36 грн
9000+3.03 грн
24000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3199
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 447000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.13 грн
6000+3.60 грн
9000+3.25 грн
24000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.50 грн
6000+3.74 грн
12000+3.41 грн
27000+2.99 грн
51000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.20 грн
1500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C152FCE66C469&compId=MMBF170LT1G.PDF?ci_sign=290e0833eccb810af42552b67dc826a51f4ea9ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.20 грн
37+10.93 грн
56+7.16 грн
100+5.91 грн
500+3.90 грн
1000+3.34 грн
1500+3.06 грн
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 146338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.91 грн
29+11.08 грн
100+4.88 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C152FCE66C469&compId=MMBF170LT1G.PDF?ci_sign=290e0833eccb810af42552b67dc826a51f4ea9ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.44 грн
22+13.62 грн
50+8.59 грн
100+7.09 грн
500+4.68 грн
1000+4.01 грн
1500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : onsemi mmbf170lt1-d.pdf MOSFETs 60V 500mA N-Channel
на замовлення 48784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.57 грн
29+12.32 грн
100+4.64 грн
1000+4.03 грн
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.94 грн
62+13.90 грн
142+6.04 грн
500+5.26 грн
1500+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.71 грн
49+14.40 грн
113+6.24 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbf170lt1-d.pdf N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.