Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF170LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.
Інші пропозиції MMBF170LT1G за ціною від 2.60 грн до 26.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 12753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 523 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
на замовлення 11901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 12753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | onsemi |
MOSFETs 60V 500mA N-Channel |
на замовлення 18219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBF170LT1G | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5864 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.75 грн |
| 6000+ | 2.60 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.52 грн |
| 6000+ | 3.04 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8824+ | 4.01 грн |
| 10000+ | 3.57 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3290+ | 4.30 грн |
| 6000+ | 4.18 грн |
| 12000+ | 3.99 грн |
| 27000+ | 3.72 грн |
| 51000+ | 3.38 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.47 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1558+ | 9.08 грн |
| 1574+ | 8.99 грн |
| 2140+ | 6.61 грн |
| 2344+ | 5.82 грн |
| 3049+ | 4.14 грн |
| 6000+ | 2.94 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 12753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.72 грн |
| 113+ | 7.12 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1500+ | 3.94 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 17.86 грн |
| 33+ | 12.77 грн |
| 38+ | 11.11 грн |
| 55+ | 7.58 грн |
| 100+ | 6.49 грн |
| 250+ | 5.39 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 11901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.60 грн |
| 28+ | 10.82 грн |
| 100+ | 6.74 грн |
| 500+ | 4.64 грн |
| 1000+ | 4.10 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 12753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 18.72 грн |
| 83+ | 9.72 грн |
| 113+ | 7.12 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1500+ | 3.94 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 22.68 грн |
| 55+ | 13.78 грн |
| 100+ | 8.64 грн |
| 500+ | 6.13 грн |
| 1000+ | 4.98 грн |
| 3000+ | 3.97 грн |
| 6000+ | 3.35 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 23.21 грн |
| 53+ | 14.34 грн |
| 100+ | 8.76 грн |
| 250+ | 8.02 грн |
| 500+ | 5.67 грн |
| 1000+ | 5.17 грн |
| 3000+ | 3.98 грн |
| 6000+ | 2.94 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 500mA N-Channel
MOSFETs 60V 500mA N-Channel
на замовлення 18219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.92 грн |
| 21+ | 15.53 грн |
| 100+ | 8.27 грн |
| 500+ | 5.92 грн |
| 1000+ | 5.17 грн |
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.67 грн |







