Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBF170LT1G
MMBF170LT1G

MMBF170LT1G ON Semiconductor

mmbf170lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBF170LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBF170LT1G за ціною від 2.07 грн до 22.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4099+3.11 грн
6000+2.64 грн
9000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 4099
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.34 грн
6000+2.83 грн
9000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.48 грн
6000+2.92 грн
9000+2.64 грн
15000+2.40 грн
21000+2.24 грн
30000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3572+3.57 грн
6000+3.03 грн
9000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3572
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.94 грн
9000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.66 грн
6000+3.87 грн
12000+3.53 грн
27000+3.10 грн
51000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.96 грн
6000+4.32 грн
9000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.39 грн
1500+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI MMBF170LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.78 грн
37+11.32 грн
56+7.41 грн
100+6.12 грн
500+4.04 грн
1000+3.46 грн
1500+3.17 грн
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 146338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.59 грн
29+11.48 грн
100+5.06 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI MMBF170LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8922 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.14 грн
22+14.10 грн
50+8.90 грн
100+7.34 грн
500+4.85 грн
1000+4.15 грн
1500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : onsemi mmbf170lt1-d.pdf MOSFETs 60V 500mA N-Channel
на замовлення 43637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.57 грн
29+12.49 грн
100+4.80 грн
1000+4.17 грн
3000+3.15 грн
6000+2.76 грн
9000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.96 грн
63+14.22 грн
142+6.26 грн
500+5.45 грн
1500+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbf170lt1-d.pdf N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6629 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.