Продукція > ONSEMI > MMBF170LT1G
MMBF170LT1G

MMBF170LT1G onsemi

mmbf170lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.98 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBF170LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції MMBF170LT1G за ціною від 3.36 грн до 26.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7937+4.61 грн
10000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 7937 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
6000+5.50 грн
12000+5.37 грн
27000+5.07 грн
51000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI MMBF170LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.24 грн
33+12.90 грн
37+11.56 грн
57+7.36 грн
100+5.85 грн
250+4.50 грн
500+3.89 грн
1000+3.51 грн
1500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.92 грн
25+12.52 грн
50+8.94 грн
100+7.31 грн
500+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.10 грн
56+14.05 грн
100+8.80 грн
500+6.25 грн
1000+5.07 грн
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G onsemi mmbf170lt1-d.pdf MOSFETs 60V 500mA N-Channel
на замовлення 81005 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
12+26.85 грн
18+17.93 грн
100+9.87 грн
500+6.16 грн
1000+5.72 грн
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI mmbf170lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7937+4.61 грн
10000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 7937 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.07 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.07 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.66 грн
6000+5.50 грн
12000+5.37 грн
27000+5.07 грн
51000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G MMBF170LT1G.PDF
MMBF170LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.24 грн
33+12.90 грн
37+11.56 грн
57+7.36 грн
100+5.85 грн
250+4.50 грн
500+3.89 грн
1000+3.51 грн
1500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.92 грн
25+12.52 грн
50+8.94 грн
100+7.31 грн
500+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
663+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+23.10 грн
56+14.05 грн
100+8.80 грн
500+6.25 грн
1000+5.07 грн
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 500mA N-Channel
на замовлення 81005 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.85 грн
18+17.93 грн
100+9.87 грн
500+6.16 грн
1000+5.72 грн
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF170LT1G 2353876.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.