| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF2201NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Інші пропозиції MMBF2201NT1G за ціною від 7.79 грн до 36.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBF2201NT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 750A Gate charge: 1.4nC |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | onsemi |
MOSFETs 20V 300mA N-Channel |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 2553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 2553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.07 грн |
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.21 грн |
| 6000+ | 9.27 грн |
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.28 грн |
| 6000+ | 9.34 грн |
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 750A
Gate charge: 1.4nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 750A
Gate charge: 1.4nC
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 34.64 грн |
| 21+ | 21.08 грн |
| 50+ | 14.90 грн |
| 100+ | 12.87 грн |
| 500+ | 9.48 грн |
| 1000+ | 8.38 грн |
| 1500+ | 7.79 грн |
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.60 грн |
| 15+ | 21.41 грн |
| 50+ | 15.50 грн |
| 100+ | 12.74 грн |
| 500+ | 9.56 грн |
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.79 грн |
| 30+ | 25.84 грн |
| 35+ | 22.02 грн |
| 100+ | 9.81 грн |
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 300mA N-Channel
MOSFETs 20V 300mA N-Channel
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBF2201NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)