Продукція > ONSEMI > MMBF4391LT1G
MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G onsemi

mmbf4391lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.01 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBF4391LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V.

Інші пропозиції MMBF4391LT1G за ціною від 7.58 грн до 35.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, -30 V, 150 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.18 грн
500+9.10 грн
1500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.25 грн
17+25.87 грн
18+23.13 грн
50+14.92 грн
100+11.86 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.83 грн
50+17.60 грн
100+13.18 грн
500+9.10 грн
1500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.15 грн
100+12.78 грн
500+8.99 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf JFETs 30V 10mA
на замовлення 75211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.28 грн
15+21.39 грн
100+11.85 грн
500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G ON-Semiconductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF4391LT1G TMMBF4391
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, -30 V, 150 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.18 грн
500+9.10 грн
1500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+31.25 грн
17+25.87 грн
18+23.13 грн
50+14.92 грн
100+11.86 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+33.83 грн
50+17.60 грн
100+13.18 грн
500+9.10 грн
1500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.10 грн
15+20.15 грн
100+12.78 грн
500+8.99 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Виробник: onsemi
JFETs 30V 10mA
на замовлення 75211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+35.28 грн
15+21.39 грн
100+11.85 грн
500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF4391LT1G TMMBF4391
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.