| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.78 грн |
| 6000+ | 8.88 грн |
| 9000+ | 8.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF4391LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V.
Інші пропозиції MMBF4391LT1G за ціною від 8.02 грн до 37.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBF4391LT1G | ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF4391LT1G | onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF4391LT1G | onsemi |
JFETs 30V 10mA |
на замовлення 71730 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBF4391LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V |
на замовлення 1228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
MMBF4391LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V |
на замовлення 1228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBF4391LT1G | ON-Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF4391LT1G TMMBF4391 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MMBF4391LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 34.66 грн |
| 16+ | 26.74 грн |
| 18+ | 23.19 грн |
| 50+ | 14.77 грн |
| 100+ | 12.13 грн |
| 107+ | 8.83 грн |
| 293+ | 8.42 грн |
| 500+ | 8.17 грн |
| 1000+ | 8.09 грн |
| MMBF4391LT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.71 грн |
| 15+ | 20.50 грн |
| 50+ | 14.83 грн |
| MMBF4391LT1G |
|
Виробник: onsemi
JFETs 30V 10mA
JFETs 30V 10mA
на замовлення 71730 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.46 грн |
| 19+ | 16.48 грн |
| 500+ | 12.80 грн |
| 1000+ | 9.65 грн |
| 3000+ | 8.41 грн |
| MMBF4391LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBF4391LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBF4391LT1G |
|
Виробник: ON-Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF4391LT1G TMMBF4391
кількість в упаковці: 100 шт
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF4391LT1G TMMBF4391
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.02 грн |