MMBF4391LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.11 грн |
| 6000+ | 6.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF4391LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBF4391LT1G за ціною від 5.73 грн до 38.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBF4391LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, -30 V, 150 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4391LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4391LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 30Ω |
на замовлення 2621 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4391LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V |
на замовлення 6431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4391LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 30V 10mA |
на замовлення 75469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4391LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBF4391LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF4391LT1G TMMBF4391 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBF4391LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBF4391LT1G | Виробник : On Semiconductor |
JFET N-CH 30V 350MW SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |