Продукція > ONSEMI > MMBF4391LT1G
MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G onsemi


mmbf4391lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.99 грн
6000+5.62 грн
9000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBF4391LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBF4391LT1G за ціною від 5.22 грн до 35.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.55 грн
6000+6.47 грн
9000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, -30 V, 150 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.22 грн
500+9.96 грн
1500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.78 грн
25+16.71 грн
50+14.02 грн
100+11.50 грн
111+8.12 грн
304+7.66 грн
500+7.59 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.33 грн
25+20.82 грн
50+16.83 грн
100+13.79 грн
111+9.75 грн
304+9.20 грн
500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
19+16.71 грн
100+9.80 грн
500+9.05 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBF4391LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.66 грн
50+18.82 грн
100+11.22 грн
500+9.96 грн
1500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : onsemi mmbf4391lt1-d.pdf JFETs 30V 10mA
на замовлення 100178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.88 грн
17+20.30 грн
100+9.71 грн
1000+8.02 грн
3000+6.03 грн
9000+5.37 грн
99000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF4391LT1G TMMBF4391
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbf4391lt1-d.pdf Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.