
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF4393LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBF4393LT1G за ціною від 4.08 грн до 29.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
на замовлення 40466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 97076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF4393LT1G Код товару: 108173
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |