Інші пропозиції MMBF4393LT1G за ціною від 5.82 грн до 47.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBF4393LT1G | ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBF4393LT1G | ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBF4393LT1G | ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBF4393LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V |
на замовлення 8956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBF4393LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 100Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBF4393LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V |
на замовлення 8821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBF4393LT1G | onsemi |
JFETs 30V 10mA |
на замовлення 75457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.17 грн |
| MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.17 грн |
| MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| 6000+ | 8.89 грн |
| 9000+ | 8.68 грн |
| 12000+ | 8.22 грн |
| 27000+ | 7.50 грн |
| MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
на замовлення 8956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.24 грн |
| 500+ | 8.45 грн |
| 1500+ | 6.97 грн |
| MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 19.69 грн |
| 30+ | 14.13 грн |
| 50+ | 10.97 грн |
| 100+ | 9.72 грн |
| 250+ | 8.06 грн |
| 500+ | 6.90 грн |
| 1000+ | 5.82 грн |
| MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 31.09 грн |
| 50+ | 16.51 грн |
| 100+ | 12.24 грн |
| 500+ | 8.45 грн |
| 1500+ | 6.97 грн |
| MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
JFETs 30V 10mA
JFETs 30V 10mA
на замовлення 75457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.12 грн |
| 10+ | 31.91 грн |
| 100+ | 17.60 грн |
| 500+ | 10.84 грн |
| 1000+ | 8.08 грн |
| 3000+ | 7.11 грн |






