MMBF4393LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF4393LT1G ONSEMI
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 225 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V.
Інші пропозиції MMBF4393LT1G за ціною від 4.08 грн до 33.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi | JFET 30V 10mA |
на замовлення 114400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF4393LT1G Код товару: 108173 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
товар відсутній |