Інші пропозиції MMBF4393LT1G за ціною від 5.86 грн до 47.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 100Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4393LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 30V 10mA |
на замовлення 75457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |