
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF5103 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF5103 - JFET-Transistor, 40 V, 40 mA, -2.7 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA, Durchbruchspannung Vbr: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: Schalttransistor, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.7V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBF5103 за ціною від 5.29 грн до 31.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBF5103 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.2 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA Durchbruchspannung Vbr: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: Schalttransistor Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 93539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: Schalttransistor Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 93509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.2 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V |
на замовлення 23081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 33684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 10mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 10mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
товару немає в наявності |