
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.98 грн |
6000+ | 10.40 грн |
12000+ | 10.29 грн |
18000+ | 9.83 грн |
30000+ | 9.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ108 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ108 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 80 mA, -10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ108 за ціною від 9.73 грн до 52.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 8 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 mA @ 15 V |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 190557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 8 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 mA @ 15 V |
на замовлення 10483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 80mA Power dissipation: 0.35W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA On-state resistance: 8Ω |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 10268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 80mA Power dissipation: 0.35W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA On-state resistance: 8Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 190512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |