
MMBFJ112 onsemi

Description: JFET N-CH 35V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.35 грн |
6000+ | 4.94 грн |
9000+ | 4.73 грн |
15000+ | 4.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ112 onsemi
Description: ONSEMI - MMBFJ112 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBFJ112 за ціною від 4.65 грн до 34.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 5mA On-state resistance: 50Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V |
на замовлення 3298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 50 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
на замовлення 57296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 5mA On-state resistance: 50Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 32887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MMBFJ112 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |