на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ112 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ112 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBFJ112 за ціною від 5.44 грн до 40.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBFJ112 | Виробник : onsemi |
 Description: JFET N-CH 35V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 50 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBFJ112 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ112 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBFJ112 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 5mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -35V On-state resistance: 50Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 4392 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBFJ112 | Виробник : onsemi |
JFETs N-Channel Switch |
на замовлення 63837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ112 | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 35V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 50 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
на замовлення 7130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ112 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ112 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ112 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBFJ112 | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R MMBFJ112 ON Semiconductor TMMBFJ112 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|