
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ113 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ113 - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -3 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ113 за ціною від 4.28 грн до 34.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 198977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -35V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 100Ω |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -35V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 100Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V |
на замовлення 21399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 195947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBFJ113 Код товару: 176573
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|