Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

mmbfj175lt1-d.pdf
Код товару: 198993
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBFJ175LT1G за ціною від 6.76 грн до 50.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G onsemi mmbfj175lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.72 грн
6000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
6000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI MMBFJ175LT1G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Drain current: 7mA
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+21.09 грн
22+19.92 грн
25+17.24 грн
50+14.56 грн
100+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+29.85 грн
707+19.97 грн
749+18.85 грн
945+14.41 грн
1055+11.95 грн
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G onsemi mmbfj175lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 36930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.76 грн
14+22.07 грн
100+14.02 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.80 грн
25+31.25 грн
26+29.85 грн
100+19.26 грн
250+16.83 грн
500+12.81 грн
1000+11.48 грн
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G onsemi mmbfj175lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 83825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI 1840605.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.72 грн
6000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.39 грн
6000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Drain current: 7mA
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+21.09 грн
22+19.92 грн
25+17.24 грн
50+14.56 грн
100+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
473+29.85 грн
707+19.97 грн
749+18.85 грн
945+14.41 грн
1055+11.95 грн
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 36930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.76 грн
14+22.07 грн
100+14.02 грн
500+9.87 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.80 грн
25+31.25 грн
26+29.85 грн
100+19.26 грн
250+16.83 грн
500+12.81 грн
1000+11.48 грн
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G mmbfj175lt1-d.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: onsemi
JFETs 25V 10mA
на замовлення 83825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ175LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ175LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G 1840605.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.