MMBFJ175LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
On-state resistance: 125Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 9.91 грн |
| 100+ | 8.74 грн |
| 110+ | 7.57 грн |
| 290+ | 7.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ175LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V.
Інші пропозиції MMBFJ175LT1G за ціною від 5.48 грн до 29.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23 Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD On-state resistance: 125Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
JFET 25V 10mA |
на замовлення 114894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V |
на замовлення 11778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
MMBFJ175LT1G Код товару: 198993 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V |
товар відсутній |