Продукція > ONSEMI > MMBFJ175LT1G
MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G onsemi

mmbfj175lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.44 грн
6000+6.51 грн
9000+6.18 грн
15000+5.45 грн
21000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ175LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBFJ175LT1G за ціною від 6.09 грн до 40.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.68 грн
6000+7.52 грн
9000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.84 грн
6000+7.68 грн
9000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.23 грн
6000+8.06 грн
9000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.39 грн
6000+8.21 грн
9000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.01 грн
6000+9.17 грн
9000+9.13 грн
12000+8.59 грн
27000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.44 грн
500+10.50 грн
1500+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+19.98 грн
932+13.92 грн
942+13.78 грн
1042+12.00 грн
1154+10.03 грн
3000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ONSEMI MMBFJ175LT1G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.51 грн
21+19.92 грн
28+15.08 грн
50+12.08 грн
100+9.83 грн
500+6.92 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : onsemi mmbfj175lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 29134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.49 грн
16+19.87 грн
100+12.62 грн
500+8.89 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : onsemi C5BC70A8112E4279C094EF305B1698FF79E1ACE55C5B2F2C6A7C8FE762C7B71E.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 24527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.46 грн
15+21.26 грн
100+11.84 грн
500+8.79 грн
1000+7.89 грн
3000+6.65 грн
6000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ONSEMI MMBFJ175LT1G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
13+24.82 грн
25+18.10 грн
50+14.50 грн
100+11.80 грн
500+8.30 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.33 грн
50+24.23 грн
100+15.02 грн
500+10.72 грн
1500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj175lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.83 грн
29+25.75 грн
35+21.40 грн
100+14.38 грн
250+13.18 грн
500+11.43 грн
1000+10.32 грн
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G
Код товару: 198993
Додати до обраних Обраний товар

mmbfj175lt1-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.