| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.67 грн |
| 6000+ | 7.50 грн |
| 9000+ | 6.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ175LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBFJ175LT1G за ціною від 6.47 грн до 40.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Polarisation: unipolar Drain current: 7mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.225W Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 125Ω Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-JFET Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ175LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ175LT1G Код товару: 198993
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
| MMBFJ175LT1G | Виробник : On Semiconductor |
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |