
MMBFJ175LT3G onsemi

Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
на замовлення 6181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.55 грн |
15+ | 21.02 грн |
100+ | 12.63 грн |
500+ | 9.39 грн |
1000+ | 7.22 грн |
2000+ | 6.82 грн |
5000+ | 6.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ175LT3G onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Power - Max: 225 mW, Resistance - RDS(On): 125 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V.
Інші пропозиції MMBFJ175LT3G за ціною від 5.65 грн до 36.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ175LT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ175LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ175LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ175LT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |