Інші пропозиції MMBFJ177LT1G за ціною від 7.01 грн до 36.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBFJ177LT1G | onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1.5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 300Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 18085 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 87140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V |
на замовлення 60693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V |
на замовлення 60693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | ON-Semiconductor |
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 8677 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.01 грн |
| 6000+ | 7.01 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.58 грн |
| 6000+ | 10.12 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.58 грн |
| 6000+ | 10.12 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.83 грн |
| 6000+ | 11.60 грн |
| 9000+ | 11.49 грн |
| 12000+ | 10.94 грн |
| 27000+ | 10.07 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.73 грн |
| 14+ | 21.39 грн |
| 50+ | 15.51 грн |
| 100+ | 12.76 грн |
| 500+ | 9.57 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 18085 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 36.51 грн |
| 15+ | 28.17 грн |
| 17+ | 24.68 грн |
| 50+ | 16.79 грн |
| 100+ | 13.96 грн |
| 115+ | 8.31 грн |
| 315+ | 7.89 грн |
| 3000+ | 7.81 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
JFETs 25V 10mA
JFETs 25V 10mA
на замовлення 87140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 60693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 60693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.43 грн |







