MMBFJ177LT1G


mmbfj177lt1-d.pdf
Код товару: 32363
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBFJ177LT1G за ціною від 6.53 грн до 35.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 19255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.46 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.21 грн
6000+11.05 грн
9000+11.04 грн
12000+10.61 грн
27000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI MMBFJ177LT1G.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
на замовлення 12992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.07 грн
17+24.82 грн
20+21.59 грн
50+14.73 грн
100+12.24 грн
250+9.76 грн
500+8.52 грн
1000+7.86 грн
1500+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 19473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.57 грн
14+21.29 грн
100+13.54 грн
500+9.54 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G onsemi mmbfj177lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 100077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 19678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 19678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G ON-Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 2397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G ON-Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 19255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.46 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.21 грн
6000+11.05 грн
9000+11.04 грн
12000+10.61 грн
27000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
на замовлення 12992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.07 грн
17+24.82 грн
20+21.59 грн
50+14.73 грн
100+12.24 грн
250+9.76 грн
500+8.52 грн
1000+7.86 грн
1500+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 19473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.57 грн
14+21.29 грн
100+13.54 грн
500+9.54 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
JFETs 25V 10mA
на замовлення 100077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G 2353878.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 19678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G 2353878.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 19678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G 2353878.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 2397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.