Продукція > ONSEMI > MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C22263F6A8469&compId=MMBFJ177LT1G.PDF?ci_sign=82d0d4ff802757fcb2283fae660f98b9761c0aaf Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 1.5mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.01 грн
35+11.01 грн
100+9.56 грн
111+8.18 грн
304+7.72 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ177LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBFJ177LT1G за ціною від 6.02 грн до 27.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G
Код товару: 32363
Додати до обраних Обраний товар

mmbfj177lt1-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.25 грн
6000+7.05 грн
9000+6.95 грн
12000+6.58 грн
27000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.74 грн
500+11.16 грн
1500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C22263F6A8469&compId=MMBFJ177LT1G.PDF?ci_sign=82d0d4ff802757fcb2283fae660f98b9761c0aaf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 1.5mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+15.61 грн
25+13.72 грн
100+11.47 грн
111+9.82 грн
304+9.27 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
18+17.81 грн
100+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 114226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.03 грн
19+18.15 грн
100+11.52 грн
500+10.35 грн
1000+8.81 грн
3000+6.75 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.83 грн
50+20.66 грн
100+14.74 грн
500+11.16 грн
1500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbfj177lt1-d.pdf Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.