Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G ON Semiconductor

mmbfj177lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ177LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBFJ177LT1G за ціною від 7.19 грн до 35.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.30 грн
6000+8.18 грн
12000+7.75 грн
27000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.67 грн
500+11.17 грн
1500+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI MMBFJ177LT1G.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
на замовлення 8861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.23 грн
29+14.75 грн
50+10.83 грн
100+9.58 грн
250+8.33 грн
500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI MMBFJ177LT1G.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8861 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.08 грн
17+18.38 грн
50+13.00 грн
100+11.50 грн
250+10.00 грн
500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.27 грн
15+20.10 грн
100+12.74 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 53018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.46 грн
15+21.26 грн
100+11.84 грн
500+8.79 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G Виробник : ON-Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G Виробник : ON-Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G Виробник : ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - TRANSISTOR, JFET, P, 30V, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.42 грн
51+15.99 грн
100+15.67 грн
500+11.17 грн
1500+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G
Код товару: 32363
Додати до обраних Обраний товар

mmbfj177lt1-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Виробник : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.