на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ177LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBFJ177LT1G за ціною від 6.66 грн до 36.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1.5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 300Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA Gate-source voltage: 30V |
на замовлення 12158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1.5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 300Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA Gate-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 113505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5327 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - TRANSISTOR, JFET, P, 30V, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G Код товару: 32363
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |






