
MMBFJ201 onsemi

Description: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.91 грн |
6000+ | 6.24 грн |
9000+ | 5.76 грн |
15000+ | 5.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ201 onsemi
Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ201 за ціною від 6.07 грн до 38.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Gate current: 50mA Drain current: 200µA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 37213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Gate current: 50mA Drain current: 200µA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 204964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMBFJ201 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 Код товару: 52969
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |