MMBFJ201 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 10413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 12.68 грн |
| 500+ | 11.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ201 ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA, euEccn: NLR, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V.
Інші пропозиції MMBFJ201 за ціною від 5.85 грн до 33.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBFJ201 | Виробник : onsemi / Fairchild |
JFET N-Channel Transistor General Purpose |
на замовлення 94247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA euEccn: NLR Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V |
на замовлення 10413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBFJ201 | Виробник : ON-Semicoductor |
N-JFET 50mA 40V 350mW MMBFJ201 TMMBFJ201 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ201 Код товару: 52969 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: -40V Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ201 | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ201 | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: -40V Gate current: 50mA |
товар відсутній |