
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ202 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ202 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 4.5mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 900µA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ202 за ціною від 4.70 грн до 37.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900 µA @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 4.5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 900µA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900 µA @ 20 V |
на замовлення 6820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 900µA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 18201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 4.5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 900µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |