на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ202 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ202 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 4.5mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 900µA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBFJ202 за ціною від 4.18 грн до 37.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBFJ202 | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900 µA @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ202 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 4.5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 900µA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Gate current: 50mA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900 µA @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 45101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : onsemi / Fairchild |
JFETs N-Channel Transistor General Purpose |
на замовлення 11252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 900µA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Gate current: 50mA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ202 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 4.5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 900µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBFJ202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |




