Продукція > ONSEMI > MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G onsemi

mmbfj309lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.22 грн
6000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ309LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBFJ309LT1G за ціною від 5.38 грн до 19.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.79 грн
6000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.34 грн
6000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.63 грн
6000+8.50 грн
9000+8.29 грн
12000+7.88 грн
27000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.64 грн
500+7.57 грн
1500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1216+10.64 грн
1492+8.68 грн
1507+8.59 грн
1686+7.40 грн
1780+6.49 грн
3000+6.20 грн
6000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 1216
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 18547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.72 грн
30+10.37 грн
34+9.18 грн
100+7.35 грн
250+6.76 грн
500+6.40 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 403934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.14 грн
34+9.56 грн
100+6.57 грн
500+6.22 грн
1000+5.87 грн
3000+5.52 грн
6000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI MMBFJ309LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.31 грн
35+12.11 грн
40+10.60 грн
48+8.92 грн
53+7.99 грн
100+7.23 грн
250+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.26 грн
75+11.01 грн
100+8.64 грн
500+7.57 грн
1500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+19.11 грн
65+11.40 грн
100+8.96 грн
250+8.22 грн
500+7.05 грн
1000+6.68 грн
3000+6.64 грн
6000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G Виробник : Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ309LT1-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: 3000
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
65+9.73 грн
69+9.08 грн
100+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G Транзистор
Код товару: 192071
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G Виробник : On Semiconductor MMBFJ309-310%2C%20J309-310.pdf RF MOSFET N-CH JFET SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.