Інші пропозиції MMBFJ309LT1G Транзистор за ціною від 5.48 грн до 18.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: RF MOSFET JFET SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V |
на замовлення 18547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 404145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
на замовлення 5093 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBFJ309LT1G | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: 3000 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 799 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBFJ309LT1G | Виробник : On Semiconductor |
RF MOSFET N-CH JFET SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |