Продукція > ONSEMI > MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G onsemi

mmbfj309lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.21 грн
6000+5.80 грн
9000+5.70 грн
15000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ309LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBFJ309LT1G за ціною від 5.53 грн до 19.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.81 грн
6000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.36 грн
6000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.65 грн
6000+8.52 грн
9000+8.31 грн
12000+7.89 грн
27000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.66 грн
500+7.59 грн
1500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1216+10.67 грн
1492+8.70 грн
1507+8.61 грн
1686+7.42 грн
1780+6.51 грн
3000+6.22 грн
6000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 1216
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 20004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.76 грн
30+10.17 грн
34+8.98 грн
100+7.20 грн
250+6.61 грн
500+6.26 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 421006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.18 грн
34+9.59 грн
100+6.58 грн
500+6.23 грн
1000+5.88 грн
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI MMBFJ309LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.34 грн
35+12.14 грн
40+10.62 грн
48+8.94 грн
53+8.01 грн
100+7.25 грн
250+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.30 грн
75+11.03 грн
100+8.66 грн
500+7.59 грн
1500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+19.15 грн
65+11.43 грн
100+8.98 грн
250+8.24 грн
500+7.06 грн
1000+6.69 грн
3000+6.66 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G Транзистор
Код товару: 192071
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.