Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G ON Semiconductor

mmbfj309lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ309LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBFJ309LT1G за ціною від 4.76 грн до 22.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.48 грн
6000+6.04 грн
9000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1633+7.44 грн
1658+7.33 грн
1684+7.21 грн
1711+6.85 грн
1741+6.23 грн
3000+5.88 грн
6000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 1633
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.60 грн
6000+7.03 грн
9000+6.56 грн
15000+5.89 грн
21000+5.38 грн
24000+5.04 грн
30000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.14 грн
6000+7.53 грн
9000+7.02 грн
15000+6.31 грн
21000+5.76 грн
24000+5.40 грн
30000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+8.22 грн
86+8.09 грн
88+7.97 грн
100+7.57 грн
250+6.90 грн
500+6.52 грн
1000+6.41 грн
3000+6.30 грн
6000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.08 грн
6000+8.59 грн
9000+8.11 грн
12000+7.65 грн
27000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.61 грн
500+8.45 грн
1500+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi E755507168D4E71C70093842B5AB9D0E75C47C0CB405678F7AABE455CE470FE2.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 466640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.21 грн
36+9.85 грн
100+7.12 грн
500+6.29 грн
1000+6.14 грн
3000+5.99 грн
6000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 12115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.40 грн
30+10.58 грн
34+9.35 грн
100+7.51 грн
250+6.90 грн
500+6.53 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Drain-source voltage: 25V
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.71 грн
29+14.05 грн
32+12.55 грн
37+10.74 грн
50+9.63 грн
100+8.76 грн
137+6.79 грн
376+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+19.30 грн
74+11.56 грн
100+9.61 грн
500+8.45 грн
1500+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Drain-source voltage: 25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.45 грн
17+17.51 грн
19+15.06 грн
25+12.89 грн
50+11.56 грн
100+10.52 грн
137+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G Транзистор
Код товару: 192071
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.