Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G ON Semiconductor

mmbfj309lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ309LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBFJ309LT1G за ціною від 4.61 грн до 42.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.10 грн
6000+7.02 грн
9000+5.96 грн
15000+5.69 грн
21000+5.21 грн
24000+4.96 грн
30000+4.91 грн
75000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.90 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.22 грн
6000+8.98 грн
9000+7.86 грн
12000+7.40 грн
27000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+13.36 грн
63+9.61 грн
100+7.94 грн
250+7.14 грн
500+6.43 грн
1000+6.06 грн
3000+5.77 грн
6000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.16 грн
500+11.26 грн
1500+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.70 грн
30+10.36 грн
34+9.16 грн
100+7.36 грн
250+6.76 грн
500+6.40 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 479820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.54 грн
31+10.93 грн
100+7.91 грн
500+7.55 грн
1000+7.18 грн
3000+6.75 грн
6000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 6454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.82 грн
20+19.50 грн
25+16.18 грн
100+12.40 грн
112+8.01 грн
306+7.56 грн
3000+7.48 грн
6000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.38 грн
50+19.62 грн
100+14.16 грн
500+11.26 грн
1500+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.98 грн
12+24.30 грн
25+19.41 грн
100+14.88 грн
112+9.62 грн
306+9.07 грн
3000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G Транзистор
Код товару: 192071
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.