Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > MMBFJ309LT1G транзистор

MMBFJ309LT1G транзистор

Код товару: 192071
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBFJ309LT1G транзистор за ціною від 7.03 грн до 15.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI MMBFJ309LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.50 грн
39+11.00 грн
46+9.40 грн
57+7.53 грн
61+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 377242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI 2353879.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G Fairchild/ON Semiconductor MMBFJ309LT1-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 3000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G.PDF
MMBFJ309LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.50 грн
39+11.00 грн
46+9.40 грн
57+7.53 грн
61+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
MMBFJ309LT1G
Виробник: onsemi
JFETs 25V 10mA
на замовлення 377242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G 2353879.pdf
MMBFJ309LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G 2353879.pdf
MMBFJ309LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1-D.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 30 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 5, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,225, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 3000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.