Інші пропозиції MMBFJ310LT1G за ціною від 5.69 грн до 23.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
MMBFJ310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 12836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 27220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBFJ310LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MMBFJ310LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MMBFJ310LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ з функцією J-FET, Udss, В = 25, Id = 60 мА, Тип монт. = smd, Tексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MMBFJ310LT1G | Виробник : On Semiconductor |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |





