MMBFJ310LT3G onsemi
Виробник: onsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ310LT3G onsemi
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBFJ310LT3G за ціною від 5.59 грн до 20.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBFJ310LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT3G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 13031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT3G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 193381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor |
товару немає в наявності |