Продукція > ONSEMI > MMBFJ310LT3G
MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G onsemi

mmbfj309lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.11 грн
20000+5.75 грн
30000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ310LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBFJ310LT3G за ціною від 5.59 грн до 18.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf RF Power Field Effect Transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ONSEMI ONSMS21263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.18 грн
250+8.81 грн
1000+7.38 грн
5000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 43106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
30+10.54 грн
34+9.31 грн
100+7.46 грн
250+6.85 грн
500+6.49 грн
1000+6.09 грн
2500+5.78 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : onsemi 3C6895745D91CBC8884A4D9B0E7667CB8F40620DFB117918708EAAF67ABC7987.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 195185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.44 грн
34+10.33 грн
100+7.10 грн
500+6.72 грн
1000+6.34 грн
2500+6.04 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ONSEMI ONSMS21263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.63 грн
76+11.18 грн
250+8.81 грн
1000+7.38 грн
5000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf RF Power Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf RF Power Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.