Продукція > ONSEMI > MMBFJ310LT3G
MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G onsemi

mmbfj309lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.24 грн
20000+5.87 грн
30000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBFJ310LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBFJ310LT3G за ціною від 5.81 грн до 81.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf RF Power Field Effect Transistor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf RF Power Field Effect Transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ONSEMI ONSMS21263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.43 грн
250+8.97 грн
1000+7.49 грн
5000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 44189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
30+10.77 грн
34+9.50 грн
100+7.62 грн
250+7.00 грн
500+6.63 грн
1000+6.22 грн
2500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
на замовлення 197575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.22 грн
33+10.76 грн
100+7.40 грн
500+7.02 грн
1000+6.64 грн
2500+6.49 грн
10000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ONSEMI ONSMS21263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.88 грн
75+11.43 грн
250+8.97 грн
1000+7.49 грн
5000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Транз. Пол. ММ N-FET Low noise SOT23 Udss=25V; Idssmax=0,06A; Pdmax=0,25W; Yfsmin=10mS
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf RF Power Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ310LT3G MMBFJ310LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf RF Power Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.