на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFU310LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBFU310LT1G за ціною від 5.17 грн до 29.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBFU310LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: JFET N-CH 25V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 225 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFU310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 25V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 225 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V |
на замовлення 30960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFU310LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 49639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
MMBFU310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
MMBFU310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBFU310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
товару немає в наявності |