MMBT100 ON Semiconductor
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4902+ | 2.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT100 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT100 за ціною від 2.12 грн до 20.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 41399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 315298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT100 | Виробник : MOT |
SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |