Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > MMBT2222AH RFG

MMBT2222AH RFG Taiwan Semiconductor

Name: MMBT2222AH RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 47586182-4
Price: 361.38 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Taiwan Semiconductor
350mW, NPN Small Signal Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MMBT2222AH RFG Taiwan Semiconductor

Description: SOT-23, 75V, 0.6A, NPN TRANSISTO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції MMBT2222AH RFG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MMBT2222AH RFG	Виробник : Taiwan Semiconductor	350mW, NPN Small Signal Transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMBT2222AH RFG	Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation	Description: SOT-23, 75V, 0.6A, NPN TRANSISTO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMBT2222AH RFG	Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation	Description: SOT-23, 75V, 0.6A, NPN TRANSISTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMBT2222AH RFG	Виробник : Taiwan Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 75V, 0.6A, NPN Transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.