MMBT2222ALP4-7B

MMBT2222ALP4-7B Diodes Incorporated


MMBT2222ALP4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 970000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222ALP4-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT2222ALP4-7B за ціною від 2.06 грн до 24.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Виробник : Diodes Zetex mmbt2222alp4.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Виробник : DIODES INC. DIODS15403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.62 грн
1000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Виробник : Diodes Incorporated MMBT2222ALP4.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 971442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.09 грн
29+ 9.83 грн
100+ 4.8 грн
500+ 3.75 грн
1000+ 2.61 грн
2000+ 2.26 грн
5000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Виробник : Diodes Incorporated MMBT2222ALP4.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10
на замовлення 48862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.32 грн
20+ 15.35 грн
100+ 5.45 грн
1000+ 3.25 грн
2500+ 2.99 грн
10000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Виробник : DIODES INC. DIODS15403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+24.59 грн
44+ 16.99 грн
114+ 6.59 грн
500+ 4.62 грн
1000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 31
MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Виробник : Diodes Inc mmbt2222alp4.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній