MMBT2222ALP4-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.26 грн |
| 20000+ | 1.97 грн |
| 30000+ | 1.87 грн |
| 50000+ | 1.64 грн |
| 70000+ | 1.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2222ALP4-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMBT2222ALP4-7B за ціною від 2.21 грн до 24.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2222ALP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 370000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2222ALP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ALP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 992321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2222ALP4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10 |
на замовлення 36847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ALP4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2222ALP4-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ALP4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1W; X2-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: X2-DFN1006-3 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MMBT2222ALP4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1W; X2-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: X2-DFN1006-3 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.8A |
товару немає в наявності |