Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222ALT3G
MMBT2222ALT3G

MMBT2222ALT3G ON Semiconductor

mmbt2222lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MMBT2222ALT3G за ціною від 1.02 грн до 12.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.55 грн
20000+ 1.11 грн
50000+ 1.1 грн
100000+ 1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.67 грн
20000+ 1.19 грн
50000+ 1.18 грн
100000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3356+3.46 грн
3394+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3356
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+10.13 грн
80+ 7.25 грн
83+ 7.01 грн
178+ 3.13 грн
250+ 2.87 грн
500+ 2.72 грн
1000+ 1.38 грн
3000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 57
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 16872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.75 грн
38+ 7.39 грн
100+ 3.99 грн
500+ 2.94 грн
1000+ 2.04 грн
2000+ 1.69 грн
5000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : onsemi MMBT2222LT1_D-2315981.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 99629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.52 грн
40+ 7.62 грн
100+ 2.98 грн
1000+ 1.72 грн
2500+ 1.46 грн
20000+ 1.39 грн
50000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+12.93 грн
82+ 9.14 грн
192+ 3.87 грн
500+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 58
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товар відсутній