Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222ALT3G
MMBT2222ALT3G

MMBT2222ALT3G ON Semiconductor

mmbt2222lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10205+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 10205
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT2222ALT3G за ціною від 0.57 грн до 10.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.57 грн
20000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.66 грн
20000+1.17 грн
30000+0.85 грн
50000+0.62 грн
70000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.09 грн
30000+1.86 грн
50000+1.82 грн
100000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.67 грн
1000+1.95 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+8.08 грн
158+5.17 грн
305+2.67 грн
1000+1.95 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 29775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.42 грн
52+5.82 грн
100+3.58 грн
500+2.43 грн
1000+2.13 грн
2000+1.87 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+9.44 грн
100+6.07 грн
101+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : onsemi MMBT2222LT1_D-1811600.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 22771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.50 грн
49+6.93 грн
100+3.27 грн
500+2.61 грн
1000+1.96 грн
5000+1.67 грн
10000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.