MMBT2222ATT1G

MMBT2222ATT1G ON Semiconductor


mmbt2222att1d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8288+1.50 грн
9000+1.44 грн
27000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 8288
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222ATT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT2222ATT1G за ціною від 1.46 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : onsemi mmbt2222att1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
6000+1.95 грн
9000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ONSEMI 1878256.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222att1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5358+2.32 грн
6000+2.09 грн
9000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 5358
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222att1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.49 грн
6000+2.24 грн
9000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222att1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.36 грн
1500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : onsemi MMBT2222ATT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 24915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+8.50 грн
59+6.00 грн
100+3.84 грн
500+2.92 грн
1000+2.61 грн
3000+1.53 грн
6000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222ATT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.47 грн
148+2.72 грн
166+2.41 грн
176+2.28 грн
500+1.97 грн
1000+1.85 грн
1500+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : onsemi mmbt2222att1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.62 грн
47+6.87 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ONSEMI 1878256.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.17 грн
106+8.16 грн
172+5.03 грн
500+3.36 грн
1500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222att1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222att1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.