MMBT2222ATT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.17 грн |
| 6000+ | 1.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2222ATT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT2222ATT1G за ціною від 1.84 грн до 11.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2222ATT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC75; SOT416 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V |
на замовлення 65930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 138 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6383+ | 2.21 грн |
| 9000+ | 2.06 грн |
| 27000+ | 1.98 грн |
| 51000+ | 1.84 грн |
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.26 грн |
| 6000+ | 2.16 грн |
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6250+ | 2.26 грн |
| 6522+ | 2.16 грн |
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 4.83 грн |
| 500+ | 3.76 грн |
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 7.21 грн |
| 87+ | 4.85 грн |
| 111+ | 3.80 грн |
| 121+ | 3.46 грн |
| 500+ | 2.79 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| 1500+ | 2.18 грн |
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.73 грн |
| 44+ | 6.85 грн |
| 100+ | 4.25 грн |
| 500+ | 2.89 грн |
| 1000+ | 2.54 грн |
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V
Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 65930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2222ATT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)