MMBT2222AWT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.80 грн |
| 6000+ | 1.54 грн |
| 9000+ | 1.44 грн |
| 15000+ | 1.24 грн |
| 21000+ | 1.18 грн |
| 30000+ | 1.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2222AWT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT2222AWT1G за ціною від 0.90 грн до 11.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2222AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 26376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 26376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 53986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2222AWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 6557 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2222AWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2222AWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 26742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 26742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT2222AWT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT2222AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 0,15 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323 |
на замовлення 8880 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |