Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222AWT1G
MMBT2222AWT1G

MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

mmbt2222awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT2222AWT1G за ціною від 0.76 грн до 11.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8197+1.48 грн
8475+1.44 грн
9000+1.41 грн
27000+1.31 грн
51000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8197
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6977+1.74 грн
48000+1.60 грн
72000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 6977
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6945+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 6945
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.77 грн
6000+1.36 грн
9000+1.33 грн
15000+0.92 грн
21000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.81 грн
6000+1.51 грн
9000+1.36 грн
24000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 25800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6522+1.87 грн
8427+1.44 грн
9000+1.43 грн
15000+0.91 грн
21000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 6522
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.39 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3732+3.26 грн
4602+2.65 грн
5661+2.15 грн
5837+2.01 грн
6025+1.80 грн
15000+1.68 грн
30000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3732
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.23 грн
68+5.66 грн
84+4.59 грн
110+3.49 грн
135+2.84 грн
163+2.35 грн
710+1.26 грн
1950+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+9.21 грн
116+5.21 грн
128+4.74 грн
195+2.99 грн
250+2.70 грн
500+2.11 грн
1000+1.71 грн
3000+1.66 грн
6000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 59986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+9.37 грн
113+5.37 грн
177+3.41 грн
500+2.48 грн
1000+1.86 грн
3000+1.41 грн
6000+1.07 грн
9000+1.00 грн
24000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 26888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
55+5.58 грн
100+3.44 грн
500+2.33 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+9.88 грн
41+7.05 грн
50+5.50 грн
66+4.18 грн
81+3.41 грн
100+2.82 грн
710+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.28 грн
131+6.33 грн
285+2.89 грн
500+2.39 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 19658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.39 грн
63+5.40 грн
138+2.13 грн
1000+1.98 грн
3000+1.39 грн
9000+1.17 грн
24000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 0,15 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
702+0.89 грн
755+0.83 грн
817+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 702
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222awt1-d.pdf NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.