MMBT2222AWT1G

MMBT2222AWT1G ON Semiconductor


mmbt2222awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT2222AWT1G за ціною від 0.88 грн до 12.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7353+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 7353
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.91 грн
6000+1.63 грн
9000+1.53 грн
15000+1.32 грн
21000+1.26 грн
30000+1.19 грн
75000+1.03 грн
150000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4855+2.63 грн
6000+2.33 грн
9000+2.18 грн
15000+1.94 грн
21000+1.70 грн
30000+1.55 грн
75000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 4855
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.80 грн
6000+2.49 грн
9000+2.32 грн
15000+2.07 грн
21000+1.81 грн
30000+1.66 грн
75000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.97 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3356+3.80 грн
4452+2.87 грн
5396+2.36 грн
8983+1.37 грн
9091+1.25 грн
15000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3356
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.83 грн
70+5.90 грн
105+3.92 грн
128+3.22 грн
500+2.10 грн
1000+1.78 грн
3000+1.41 грн
6000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 59986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+9.05 грн
138+5.30 грн
225+3.24 грн
500+2.30 грн
1000+1.80 грн
3000+1.11 грн
6000+1.09 грн
9000+1.05 грн
15000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+9.95 грн
107+6.83 грн
115+6.37 грн
178+3.96 грн
250+3.64 грн
500+2.63 грн
1000+2.17 грн
3000+1.30 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 201424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.22 грн
58+5.74 грн
100+3.56 грн
500+2.42 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.60 грн
42+7.36 грн
63+4.70 грн
100+3.87 грн
500+2.52 грн
1000+2.14 грн
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi MMBT2222AWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 55667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+11.02 грн
57+6.43 грн
100+3.46 грн
500+2.52 грн
1000+2.20 грн
3000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+12.10 грн
124+7.17 грн
201+4.41 грн
500+2.97 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222awt1-d.pdf NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 0,15 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.