Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222AWT1G
MMBT2222AWT1G

MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

mmbt2222awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT2222AWT1G за ціною від 0.73 грн до 11.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7390+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 7390
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7353+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 7353
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7247+1.72 грн
7538+1.65 грн
15000+1.64 грн
21000+1.57 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 7247
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.81 грн
6000+1.75 грн
9000+1.74 грн
15000+1.66 грн
21000+1.53 грн
30000+1.31 грн
75000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
6000+1.77 грн
15000+1.75 грн
21000+1.68 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.50 грн
15000+1.30 грн
21000+1.24 грн
30000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.87 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3319+3.76 грн
4412+2.83 грн
5377+2.32 грн
5906+2.04 грн
6522+1.71 грн
15000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3319
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.53 грн
70+5.70 грн
105+3.79 грн
128+3.11 грн
500+2.03 грн
1000+1.72 грн
3000+1.36 грн
6000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 59986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+8.90 грн
137+5.21 грн
223+3.20 грн
500+2.27 грн
1000+1.76 грн
3000+1.09 грн
6000+1.05 грн
15000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+9.83 грн
106+6.74 грн
114+6.30 грн
176+3.92 грн
250+3.59 грн
500+2.59 грн
1000+2.13 грн
3000+1.94 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 38608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.87 грн
56+5.70 грн
100+3.50 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.23 грн
42+7.11 грн
63+4.54 грн
100+3.73 грн
500+2.43 грн
1000+2.06 грн
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi MMBT2222AWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 59699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.64 грн
57+6.21 грн
100+3.35 грн
500+2.43 грн
1000+2.13 грн
3000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.68 грн
124+6.93 грн
201+4.26 грн
500+2.87 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222awt1-d.pdf NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 0,15 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.