Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222AWT1G
MMBT2222AWT1G

MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

mmbt2222awt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2858+4.95 грн
3857+3.67 грн
4386+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 2858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2222AWT1G за ціною від 0.84 грн до 20.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+5.30 грн
227+3.33 грн
367+2.06 грн
507+1.44 грн
1000+1.15 грн
3000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.93 грн
73+5.72 грн
104+4.01 грн
122+3.42 грн
250+2.77 грн
500+2.35 грн
1000+1.99 грн
1500+1.81 грн
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G onsemi mmbt2222awt1-d.pdf description Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
54+5.60 грн
100+3.47 грн
500+2.35 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+9.80 грн
157+5.14 грн
220+3.66 грн
500+2.42 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.80 грн
157+5.14 грн
220+3.66 грн
500+2.42 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.20 грн
91+8.30 грн
95+8.02 грн
148+4.94 грн
250+4.42 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
3000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G onsemi mmbt2222awt1-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.01 грн
38+8.48 грн
100+3.93 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G ON Semiconductor MMBT2222AWT1-D_ONS.pdf description Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
598+1.05 грн
635+0.98 грн
690+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G ON-Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf description NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description mmbt2222awt1-d.pdf
MMBT2222AWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
143+5.30 грн
227+3.33 грн
367+2.06 грн
507+1.44 грн
1000+1.15 грн
3000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description MMBT2222AWT1G.pdf
MMBT2222AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+8.93 грн
73+5.72 грн
104+4.01 грн
122+3.42 грн
250+2.77 грн
500+2.35 грн
1000+1.99 грн
1500+1.81 грн
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description mmbt2222awt1-d.pdf
MMBT2222AWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.30 грн
54+5.60 грн
100+3.47 грн
500+2.35 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2222AWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
82+9.80 грн
157+5.14 грн
220+3.66 грн
500+2.42 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2222AWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.80 грн
157+5.14 грн
220+3.66 грн
500+2.42 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description mmbt2222awt1-d.pdf
MMBT2222AWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+13.20 грн
91+8.30 грн
95+8.02 грн
148+4.94 грн
250+4.42 грн
500+3.14 грн
1000+2.76 грн
3000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description mmbt2222awt1-d.pdf
MMBT2222AWT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+20.01 грн
38+8.48 грн
100+3.93 грн
500+2.69 грн
1000+2.34 грн
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description MMBT2222AWT1-D_ONS.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
598+1.05 грн
635+0.98 грн
690+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description mmbt2222awt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.