Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222AWT1G
MMBT2222AWT1G

MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

mmbt2222awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT2222AWT1G за ціною від 0.86 грн до 11.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7538+1.61 грн
7615+1.59 грн
11030+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 7538
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7426+1.63 грн
7500+1.62 грн
10949+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 7426
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
6000+1.70 грн
9000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.75 грн
6000+1.73 грн
9000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
30000+1.15 грн
75000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5618+2.16 грн
9869+1.23 грн
10136+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 5618
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.90 грн
1500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3268+3.71 грн
4412+2.75 грн
5396+2.24 грн
5953+1.96 грн
6608+1.64 грн
15000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3268
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.48 грн
56+7.09 грн
65+6.06 грн
103+3.86 грн
126+3.13 грн
500+2.01 грн
712+1.30 грн
1958+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 28492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+9.55 грн
105+6.61 грн
127+5.45 грн
173+3.88 грн
250+3.55 грн
500+2.52 грн
1000+2.06 грн
3000+1.87 грн
6000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi mmbt2222awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 144860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.82 грн
57+5.59 грн
100+3.43 грн
500+2.33 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.18 грн
34+8.83 грн
39+7.28 грн
62+4.63 грн
100+3.76 грн
500+2.41 грн
712+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 59986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+10.30 грн
118+5.90 грн
185+3.75 грн
500+2.64 грн
1000+2.03 грн
3000+1.24 грн
6000+1.22 грн
9000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : onsemi MMBT2222AWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 41326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.59 грн
57+6.17 грн
100+3.40 грн
500+2.42 грн
1000+2.12 грн
3000+1.44 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+11.79 грн
121+7.01 грн
194+4.39 грн
500+2.90 грн
1500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222awt1-d.pdf NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 0,15 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.