MMBT2222AWT3G ON Semiconductor
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10639+ | 1.22 грн |
| 30000+ | 1.17 грн |
| 50000+ | 1.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2222AWT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції MMBT2222AWT3G за ціною від 1.05 грн до 9.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2222AWT3G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2222AWT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 40V |
на замовлення 46445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT2222AWT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MMBT2222AWT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
товару немає в наявності |