Продукція > ONSEMI > MMBT2222LT1G
MMBT2222LT1G

MMBT2222LT1G onsemi

mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 32683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.79 грн
6000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2222LT1G за ціною від 1.20 грн до 10.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
9000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+2.21 грн
7043+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6330+2.23 грн
6977+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 6330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4262+3.32 грн
6000+3.17 грн
9000+3.16 грн
27000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
80+5.22 грн
126+3.29 грн
500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 32683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
52+5.75 грн
100+3.52 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 109661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.37 грн
52+6.10 грн
100+3.31 грн
500+2.34 грн
1000+2.07 грн
3000+1.52 грн
6000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2222LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.80 грн
9000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.21 грн
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6411+2.21 грн
7043+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.22 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6330+2.23 грн
6977+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 6330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4262+3.32 грн
6000+3.17 грн
9000+3.16 грн
27000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.82 грн
80+5.22 грн
126+3.29 грн
500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 32683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.07 грн
52+5.75 грн
100+3.52 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 109661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
32+10.37 грн
52+6.10 грн
100+3.31 грн
500+2.34 грн
1000+2.07 грн
3000+1.52 грн
6000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.