Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222LT1G
MMBT2222LT1G

MMBT2222LT1G ON Semiconductor

mmbt2222lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT2222LT1G за ціною від 0.90 грн до 11.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.50 грн
6000+1.40 грн
9000+1.23 грн
24000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.52 грн
6000+1.43 грн
9000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7732+1.58 грн
8065+1.51 грн
9000+1.49 грн
27000+1.38 грн
51000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 7732
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7576+1.61 грн
8065+1.51 грн
9203+1.33 грн
24000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 7576
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7426+1.64 грн
7895+1.55 грн
9000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 7426
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
9000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6850+1.78 грн
30000+1.63 грн
45000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 6850
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 163475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.97 грн
6000+1.69 грн
9000+1.58 грн
15000+1.37 грн
21000+1.30 грн
30000+1.23 грн
75000+1.07 грн
150000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+9.90 грн
84+4.60 грн
152+2.53 грн
741+1.21 грн
2038+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 163523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
52+5.98 грн
100+3.68 грн
500+2.49 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 278278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.42 грн
60+5.67 грн
118+2.50 грн
1000+2.21 грн
3000+1.40 грн
9000+1.32 грн
24000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+11.88 грн
50+5.73 грн
100+3.03 грн
741+1.45 грн
2038+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.