Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2222LT1G
MMBT2222LT1G

MMBT2222LT1G ON Semiconductor

mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.20 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2222LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2222LT1G за ціною від 1.17 грн до 10.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+2.20 грн
7076+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5906+2.39 грн
9037+1.56 грн
9375+1.51 грн
27000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 5906 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5475+2.58 грн
6173+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 5475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
80+5.27 грн
126+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.17 грн
51+5.95 грн
100+3.64 грн
500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 90786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6411+2.20 грн
7076+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.25 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5906+2.39 грн
9037+1.56 грн
9375+1.51 грн
27000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 5906 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5475+2.58 грн
6173+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 5475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.91 грн
80+5.27 грн
126+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.17 грн
51+5.95 грн
100+3.64 грн
500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
на замовлення 90786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2222LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.