MMBT2484LT1G ON Semiconductor
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8109+ | 1.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2484LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT2484LT1G за ціною від 1.40 грн до 14.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 60V Type of transistor: NPN Current gain: 250...800 Polarisation: bipolar |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 164677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
на замовлення 40866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 60V Type of transistor: NPN Current gain: 250...800 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|




