
MMBT2484LT1G ON Semiconductor
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2484LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBT2484LT1G за ціною від 1.22 грн до 15.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 250...800 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 100325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 69291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 250...800 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MMBT2484LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|