Продукція > ONSEMI > MMBT2484LT1G
MMBT2484LT1G

MMBT2484LT1G ONSEMI

mmbt2484lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 250...800
Type of transistor: NPN
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+13.39 грн
44+9.45 грн
52+8.13 грн
75+5.56 грн
100+4.71 грн
500+3.29 грн
1000+2.84 грн
1500+2.63 грн
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2484LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT2484LT1G за ціною від 1.64 грн до 14.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
38+8.06 грн
100+4.98 грн
500+3.40 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
на замовлення 83166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.55 грн
39+8.24 грн
100+4.62 грн
500+3.38 грн
1000+2.96 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G ONSEMI 661355.pdf Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.55 грн
88+9.16 грн
142+5.68 грн
500+4.42 грн
1500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2008 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G ON-Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G mmbt2484lt1-d.pdf
MMBT2484LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+13.95 грн
38+8.06 грн
100+4.98 грн
500+3.40 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G mmbt2484lt1-d.pdf
MMBT2484LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
на замовлення 83166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.55 грн
39+8.24 грн
100+4.62 грн
500+3.38 грн
1000+2.96 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G 661355.pdf
MMBT2484LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
56+14.55 грн
88+9.16 грн
142+5.68 грн
500+4.42 грн
1500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G mmbt2484lt1-d.pdf
MMBT2484LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2008 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2484LT1G mmbt2484lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.