Продукція > YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY > MMBT2907

MMBT2907 Yangjie Electronic Technology

MMBT2907A_PN2907A_PZT2907A.pdf Виробник: Yangjie Electronic Technology
MMBT2907
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13393+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 13393
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907 Yangjie Electronic Technology

Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції MMBT2907

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT2907 MMBT2907 Виробник : ON Semiconductor 94959fsc.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT2907 MMBT2907 Виробник : onsemi MMBT2907A_PN2907A_PZT2907A.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
MMBT2907 MMBT2907 Виробник : onsemi MMBT2907A_PN2907A_PZT2907A.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
MMBT2907 MMBT2907 Виробник : onsemi / Fairchild PN2907_D-2319877.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній