MMBT2907 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.29 грн |
| 37+ | 8.33 грн |
| 100+ | 5.15 грн |
| 500+ | 3.52 грн |
| 1000+ | 3.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2907 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції MMBT2907 за ціною від 0.91 грн до 0.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2907 | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
MMBT2907 |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
MMBT2907 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MMBT2907 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MMBT2907 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
MMBT2907 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||
 |
MMBT2907 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
товару немає в наявності |