MMBT2907A RFG

MMBT2907A RFG Taiwan Semiconductor Corporation


MMBT2907A_C2001.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.71 грн
6000+2.33 грн
9000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907A RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції MMBT2907A RFG за ціною від 2.97 грн до 14.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2907A_C2001.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 13702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.26 грн
39+8.01 грн
100+4.94 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : Taiwan Semiconductor mmbt2907a_b14.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : Taiwan Semiconductor mmbt2907a_b14.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR MMBT2907A_C2001.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : onsemi MMBT2907A_C2001.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : onsemi MMBT2907A_C2001.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : Taiwan Semiconductor MMBT2907A_C2001.pdf Bipolar Transistors - BJT -60V, -0.6A, PNP Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A RFG MMBT2907A RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR MMBT2907A_C2001.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.