MMBT2907A ST
Код товару: 83731
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни MMBT2907A ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2907ALT1G Код товару: 25960
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
ON |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-23 Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 60 В Напруга Uкб, В: 60 В Струм Iк, А: 0,6 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 300 |
у наявності: 5736 шт
|
|
| MMBT2907ALT1G Код товару: 25960
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,6 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 300
у наявності: 5736 шт
- 5575 шт - склад
- 161 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
Інші пропозиції MMBT2907A за ціною від 0.50 грн до 9.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2907A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 530 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Microdiode Electronics (MDD) |
Zener Diode |
на замовлення 639000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT2907A | JSMicro Semiconductor |
Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG; MMBT2907A JSMICRO TMMBT2907a JSMкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 31275 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 24617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT2907A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | HT Jinyu Semiconductor |
Transistor (PNP) |
на замовлення 2847000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MMBT2907A | LGE |
PNP -600mA -60V 225mW 200MHz MMBT2907A-YAN; MMBT2907A China TMMBT2907a cкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14019+ | 1.00 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: Microdiode Electronics (MDD)
Zener Diode
Zener Diode
на замовлення 639000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7426+ | 1.89 грн |
| 318000+ | 1.72 грн |
| 477000+ | 1.60 грн |
| 636000+ | 1.46 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG; MMBT2907A JSMICRO TMMBT2907a JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG; MMBT2907A JSMICRO TMMBT2907a JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.76 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.00 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 438+ | 1.71 грн |
| 651+ | 1.15 грн |
| 748+ | 1.00 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.84 грн |
| 6000+ | 1.57 грн |
| 9000+ | 1.46 грн |
| 15000+ | 1.27 грн |
| 21000+ | 1.20 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 31275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 5.32 грн |
| 105+ | 3.95 грн |
| 139+ | 2.96 грн |
| 155+ | 2.66 грн |
| 500+ | 2.13 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 3000+ | 1.42 грн |
| 6000+ | 1.23 грн |
| 9000+ | 1.14 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 9.24 грн |
| 54+ | 5.56 грн |
| 100+ | 3.42 грн |
| 500+ | 2.32 грн |
| 1000+ | 2.03 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
Transistor (PNP)
Transistor (PNP)
на замовлення 2847000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22389+ | 0.63 грн |
| 60000+ | 0.57 грн |
| 300000+ | 0.50 грн |







