MMBT2907ALT1G ON
Код товару: 25960
Виробник: ONКорпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності 1201 шт:
1128 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни MMBT2907ALT1G ON
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMBT2907A Код товару: 22304
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 100 |
у наявності: 1324 шт
742 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ 80 шт - РАДІОМАГ-Харків 452 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
50 шт
50 шт - очікується
|
|
||||||||||
|
MMBT2907A Код товару: 160581
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Yangjie |
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 300 |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
|
|
Інші пропозиції MMBT2907ALT1G за ціною від 0.58 грн до 12.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5142000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 205747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5142000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 83665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 38231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 276308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
на замовлення 201427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 83665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
SOT23 |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Uceo, В = -60; Ic = -600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN Код товару: 35896
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
у наявності: 3089 шт
2911 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17832
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 1090 шт
1090 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 08.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.22 грн |
| 1000+ | 0.16 грн |
| 10000+ | 0.13 грн |
| MMBT2222A Код товару: 160580
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 5223 шт
4848 шт - склад
85 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
260 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
85 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
260 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 11+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4649 шт
4528 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
69 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
69 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
61 шт
61 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung) Код товару: 48855
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 27553 шт
14784 шт - склад
2779 шт - РАДІОМАГ-Київ
3980 шт - РАДІОМАГ-Львів
3390 шт - РАДІОМАГ-Харків
2620 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2779 шт - РАДІОМАГ-Київ
3980 шт - РАДІОМАГ-Львів
3390 шт - РАДІОМАГ-Харків
2620 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |







