
MMBT2907ALT1G ON

Код товару: 25960
Виробник: ONКорпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності 1531 шт:
1440 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни MMBT2907ALT1G ON
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMBT2907A Код товару: 22304
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 100 |
у наявності: 1626 шт
909 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ 46 шт - РАДІОМАГ-Львів 170 шт - РАДІОМАГ-Харків 15 шт - РАДІОМАГ-Одеса 452 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
MMBT2907A Код товару: 160581
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Yangjie |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 300 |
у наявності: 82 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
29 шт - РАДІОМАГ-Львів 34 шт - РАДІОМАГ-Харків 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції MMBT2907ALT1G за ціною від 0.79 грн до 12.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 205747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5007000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5007000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 387014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 96546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1831 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 387299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 96546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
MMBT2222ALT1G (ON) транзистор біполярний NPN Код товару: 35896
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: SMD
у наявності: 1286 шт
1081 шт - склад
55 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Одеса
55 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.50 грн |
100+ | 1.20 грн |
1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17832
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 26652 шт
26062 шт - склад
590 шт - РАДІОМАГ-Київ
590 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 0.22 грн |
1000+ | 0.16 грн |
10000+ | 0.13 грн |
MMBT2222A Код товару: 160580
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 1708 шт
1452 шт - склад
92 шт - РАДІОМАГ-Київ
42 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
92 шт - РАДІОМАГ-Київ
42 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 2.50 грн |
10+ | 1.90 грн |
100+ | 1.40 грн |
1000+ | 1.10 грн |
IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 5911 шт
5584 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
46 шт - РАДІОМАГ-Харків
156 шт - РАДІОМАГ-Одеса
68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
46 шт - РАДІОМАГ-Харків
156 шт - РАДІОМАГ-Одеса
68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 30.00 грн |
10+ | 29.00 грн |
100+ | 28.00 грн |
1000+ | 27.00 грн |
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung) Код товару: 48855
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 34299 шт
27060 шт - склад
3279 шт - РАДІОМАГ-Київ
3960 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3279 шт - РАДІОМАГ-Київ
3960 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.90 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.70 грн |