Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > MMBT 2907A LT1
MMBT 2907A LT1

MMBT 2907A LT1 Infineon Technologies

smbt2907a.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
на замовлення 33431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT 2907A LT1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції MMBT 2907A LT1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT2907ALT1 ONSEMI INFNS17336-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT1 INFNS17336-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.