Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > MMBT2907ALT1XT
MMBT2907ALT1XT

MMBT2907ALT1XT Infineon Technologies

smbt2907a.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
на замовлення 66363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.71 грн
20+16.35 грн
100+8.84 грн
500+6.56 грн
1000+5.73 грн
3000+4.42 грн
6000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907ALT1XT Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції MMBT2907ALT1XT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2907ALT1XT MMBT2907ALT1XT Infineon Technologies INFNS17336-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT1XT INFNS17336-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBT2907ALT1XT
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.