Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907ALT3G
MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

mmbt2907alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9616+1.47 грн
9678+1.46 грн
9804+1.44 грн
10715+1.27 грн
15000+1.11 грн
30000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 9616
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2907ALT3G за ціною від 1.13 грн до 13.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.56 грн
30000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.68 грн
20000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20271+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 20271
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+5.96 грн
198+3.81 грн
200+3.76 грн
304+2.40 грн
507+1.33 грн
513+1.26 грн
1000+1.25 грн
3000+1.23 грн
6000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 19672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.58 грн
52+6.23 грн
100+3.31 грн
500+2.53 грн
1000+2.11 грн
2500+2.04 грн
5000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 44343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
47+6.55 грн
100+4.02 грн
500+2.73 грн
1000+2.40 грн
2000+2.11 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+13.05 грн
103+7.99 грн
180+4.56 грн
500+3.21 грн
1000+2.59 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.05 грн
103+7.99 грн
180+4.56 грн
500+3.21 грн
1000+2.59 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.56 грн
30000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.68 грн
20000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20271+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 20271
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+5.96 грн
198+3.81 грн
200+3.76 грн
304+2.40 грн
507+1.33 грн
513+1.26 грн
1000+1.25 грн
3000+1.23 грн
6000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 19672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.58 грн
52+6.23 грн
100+3.31 грн
500+2.53 грн
1000+2.11 грн
2500+2.04 грн
5000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 44343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.08 грн
47+6.55 грн
100+4.02 грн
500+2.73 грн
1000+2.40 грн
2000+2.11 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907ALT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+13.05 грн
103+7.99 грн
180+4.56 грн
500+3.21 грн
1000+2.59 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907ALT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.05 грн
103+7.99 грн
180+4.56 грн
500+3.21 грн
1000+2.59 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.