MMBT2907ALT3G ON Semiconductor
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2907ALT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT2907ALT3G за ціною від 0.85 грн до 12.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2907ALT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907ALT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2907ALT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907ALT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2907ALT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 67726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907ALT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 55556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907ALT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 108120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2907ALT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
на замовлення 19811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT2907ALT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 67726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT2907ALT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
товару немає в наявності |