Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907ALT3G
MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

mmbt2907alt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20271+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2907ALT3G за ціною від 1.61 грн до 9.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5475+2.57 грн
5536+2.54 грн
5577+2.52 грн
6000+2.26 грн
15000+1.70 грн
30000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 5475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.11 грн
30000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+9.58 грн
118+6.37 грн
119+6.30 грн
176+4.11 грн
289+2.32 грн
500+2.20 грн
1000+2.18 грн
3000+2.16 грн
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 7013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5475+2.57 грн
5536+2.54 грн
5577+2.52 грн
6000+2.26 грн
15000+1.70 грн
30000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 5475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.11 грн
30000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+9.58 грн
118+6.37 грн
119+6.30 грн
176+4.11 грн
289+2.32 грн
500+2.20 грн
1000+2.18 грн
3000+2.16 грн
6000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
MMBT2907ALT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 7013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907ALT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907ALT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.