Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907ALT3G
MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

mmbt2907alt1d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.11 грн
20000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT2907ALT3G за ціною від 0.88 грн до 12.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.36 грн
30000+1.35 грн
50000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6173+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 6173
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 74147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.29 грн
1000+1.86 грн
5000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+3.35 грн
233+2.61 грн
234+2.60 грн
273+2.15 грн
274+1.98 грн
500+1.58 грн
1000+1.16 грн
3000+1.11 грн
6000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 74147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+8.36 грн
158+5.43 грн
312+2.76 грн
500+2.29 грн
1000+1.86 грн
5000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : onsemi MMBT2907ALT1_D-1811514.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.86 грн
45+7.83 грн
100+4.36 грн
500+2.91 грн
1000+2.30 грн
5000+1.99 грн
10000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.