MMBT2907AM3T5G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 2.05 грн |
| 16000+ | 1.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2907AM3T5G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT2907AM3T5G за ціною від 1.41 грн до 13.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 21543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR |
на замовлення 30708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 7720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MMBT2907AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
товару немає в наявності |