MMBT2907AWT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12183+ | 1.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2907AWT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.24 грн до 15.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2907AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 970952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 8667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2907AWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2907AWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2907AWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
на замовлення 17647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |