MMBT2907AWT1G ON Semiconductor


mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 835942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20548+1.72 грн
100000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 20548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.23 грн до 11.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20548+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 20548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.35 грн
9000+2.29 грн
27000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+5.52 грн
500+4.01 грн
1000+3.38 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2556+5.52 грн
3522+4.01 грн
4179+3.38 грн
6123+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 2556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
65+6.60 грн
94+4.54 грн
110+3.86 грн
500+2.70 грн
1000+2.34 грн
1500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 29508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
46+6.63 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 7718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G ON-Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20548+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 20548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.08 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+2.35 грн
9000+2.29 грн
27000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+5.52 грн
500+4.01 грн
1000+3.38 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2556+5.52 грн
3522+4.01 грн
4179+3.38 грн
6123+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 2556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
65+6.60 грн
94+4.54 грн
110+3.86 грн
500+2.70 грн
1000+2.34 грн
1500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 29508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+11.08 грн
46+6.63 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 7718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.