Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907AWT1G
MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

mmbt2907awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.08 грн до 12.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6411+1.89 грн
8109+1.49 грн
9091+1.33 грн
24000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 6411
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.02 грн
6000+1.60 грн
9000+1.43 грн
24000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.12 грн
6000+1.81 грн
9000+1.70 грн
15000+1.47 грн
21000+1.40 грн
30000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5455+2.22 грн
6913+1.75 грн
9000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 5455
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 970952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.38 грн
6000+1.88 грн
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5034+2.41 грн
9000+1.35 грн
27000+1.33 грн
51000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 5034
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.17 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+6.93 грн
5000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.15W
Collector current: 0.6A
Current gain: 100
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.33 грн
54+7.40 грн
61+6.46 грн
90+4.41 грн
106+3.73 грн
500+2.56 грн
584+1.58 грн
1605+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 63895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.63 грн
50+6.38 грн
100+3.91 грн
500+2.66 грн
1000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.15W
Collector current: 0.6A
Current gain: 100
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.20 грн
32+9.23 грн
37+7.75 грн
54+5.29 грн
100+4.48 грн
500+3.07 грн
584+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi MMBT2907AWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 45353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.38 грн
50+7.04 грн
100+3.63 грн
500+2.72 грн
1000+2.34 грн
3000+1.66 грн
6000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.21 грн
112+7.63 грн
187+4.55 грн
500+3.17 грн
1500+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2907awt1-d.pdf PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.