MMBT2907AWT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6977+ | 2.08 грн |
| 9000+ | 1.87 грн |
| 27000+ | 1.83 грн |
| 51000+ | 1.71 грн |
| 102000+ | 1.53 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6977 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2907AWT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.54 грн до 14.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT2907AWT1G | onsemi |
 Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 835942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 8647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2907AWT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
на замовлення 109 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 8647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 109 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.18 грн |
| 6000+ | 1.86 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.77 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9405+ | 3.85 грн |
| 10564+ | 3.43 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 835942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9405+ | 3.85 грн |
| 10564+ | 3.43 грн |
| 100000+ | 2.88 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9405+ | 3.85 грн |
| 10564+ | 3.43 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1557+ | 9.31 грн |
| 2539+ | 5.71 грн |
| 3497+ | 4.14 грн |
| 4156+ | 3.36 грн |
| 5034+ | 2.57 грн |
| 6850+ | 1.81 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 10.87 грн |
| 46+ | 6.58 грн |
| 100+ | 4.02 грн |
| 500+ | 2.74 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 13.42 грн |
| 54+ | 7.72 грн |
| 80+ | 5.22 грн |
| 100+ | 4.42 грн |
| 500+ | 3.08 грн |
| 584+ | 1.63 грн |
| 1605+ | 1.54 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 109 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.00 грн |
| 38+ | 8.04 грн |
| 100+ | 4.27 грн |
| 500+ | 3.02 грн |
| 1000+ | 2.65 грн |
| 3000+ | 2.36 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 14.90 грн |
| 83+ | 9.31 грн |
| 136+ | 5.71 грн |
| 500+ | 4.00 грн |
| 1000+ | 3.11 грн |
| 3000+ | 2.47 грн |
| 6000+ | 1.81 грн |
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2907AWT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)