Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Name: MMBT2907AWT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 65934-7
Price: 3780.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.21 грн до 12.81 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9375+	1.35 грн

Мінімальне замовлення: 9375

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	2.18 грн
6000+	1.87 грн
9000+	1.75 грн
15000+	1.51 грн
21000+	1.44 грн
30000+	1.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 31169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	3.32 грн
1500+	2.63 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9405+	3.38 грн
10564+	3.01 грн

Мінімальне замовлення: 9405

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9405+	3.38 грн
10564+	3.01 грн

Мінімальне замовлення: 9405

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9405+	3.38 грн
10564+	3.01 грн

Мінімальне замовлення: 9405

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 970952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9405+	3.38 грн
10564+	3.01 грн
100000+	2.52 грн

Мінімальне замовлення: 9405

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ONSEMI

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
46+	9.78 грн
63+	6.61 грн
93+	4.44 грн
113+	3.68 грн
500+	2.42 грн
1000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW

на замовлення 35614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
31+	11.15 грн
51+	6.52 грн
100+	4.03 грн
500+	2.74 грн
1000+	2.40 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	11.74 грн
38+	8.23 грн
56+	5.33 грн
100+	4.41 грн
500+	2.90 грн
1000+	2.47 грн
3000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP

на замовлення 35801 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
32+	11.93 грн
50+	7.39 грн
100+	3.88 грн
500+	2.85 грн
1000+	2.46 грн
3000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 8667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2050+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 2050

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 31169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
70+	12.81 грн
112+	8.00 грн
187+	4.77 грн
500+	3.32 грн
1500+	2.63 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON-Semiconductor

PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 880 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	1.21 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

MMBT2907AWT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.