Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907AWT1G
MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

mmbt2907awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10639+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 10639
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.18 грн до 12.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8824+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 8824
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.53 грн
21000+1.46 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.34 грн
1500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9405+3.36 грн
10564+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 9405
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9405+3.36 грн
10564+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 9405
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 970952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9405+3.36 грн
10564+2.99 грн
100000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 9405
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9405+3.36 грн
10564+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 9405
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.85 грн
55+7.65 грн
63+6.65 грн
93+4.51 грн
112+3.74 грн
500+2.45 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 39983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.23 грн
50+6.65 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.82 грн
33+9.54 грн
38+7.99 грн
56+5.41 грн
100+4.49 грн
500+2.93 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi MMBT2907AWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 38399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+12.02 грн
50+7.44 грн
100+3.83 грн
500+2.87 грн
1000+2.48 грн
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2067+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 2067
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.90 грн
112+8.06 грн
187+4.80 грн
500+3.34 грн
1500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G Виробник : ON-Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.