Продукція > ONSEMI > MMBT2907AWT1G
MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G onsemi

mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 977734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12183+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 12183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907AWT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.26 грн до 13.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20548+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 904952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20548+1.73 грн
100000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 20548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+2.47 грн
9000+2.34 грн
27000+2.21 грн
51000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 5748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2718+5.22 грн
3704+3.83 грн
4311+3.29 грн
5556+2.46 грн
6881+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 2718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
65+6.48 грн
94+4.45 грн
110+3.79 грн
500+2.65 грн
1000+2.30 грн
1500+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.13 грн
43+7.54 грн
100+4.00 грн
500+2.83 грн
1000+2.49 грн
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.13 грн
115+7.02 грн
174+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.13 грн
115+7.02 грн
174+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G ON-Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20548+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 904952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20548+1.73 грн
100000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 20548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5748+2.47 грн
9000+2.34 грн
27000+2.21 грн
51000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 5748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2718+5.22 грн
3704+3.83 грн
4311+3.29 грн
5556+2.46 грн
6881+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 2718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.84 грн
65+6.48 грн
94+4.45 грн
110+3.79 грн
500+2.65 грн
1000+2.30 грн
1500+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.13 грн
43+7.54 грн
100+4.00 грн
500+2.83 грн
1000+2.49 грн
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907AWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+13.13 грн
115+7.02 грн
174+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907AWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.13 грн
115+7.02 грн
174+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.