MMBT3416LT3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3416LT3G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT3416LT3G за ціною від 1.12 грн до 15.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3416LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 71410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT3416LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT3416LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor |
на замовлення 104425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3416LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 71410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3416LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3416LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 19924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3416LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3416LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT3416LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3416LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3416LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |