Продукція > ONSEMI > MMBT3416LT3G
MMBT3416LT3G

MMBT3416LT3G onsemi

mmbt3416lt3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3416LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3416LT3G за ціною від 1.23 грн до 15.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.42 грн
3226+4.37 грн
6411+2.20 грн
6579+2.07 грн
8475+1.49 грн
15000+1.41 грн
30000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+8.47 грн
142+5.31 грн
302+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.37 грн
37+8.26 грн
100+4.46 грн
500+3.29 грн
1000+2.28 грн
2000+1.89 грн
5000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.34 грн
76+10.03 грн
86+8.83 грн
168+4.33 грн
250+3.95 грн
500+3.75 грн
1000+1.89 грн
3000+1.84 грн
6000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
на замовлення 104425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0005578292-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3192+4.42 грн
3226+4.37 грн
6411+2.20 грн
6579+2.07 грн
8475+1.49 грн
15000+1.41 грн
30000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+8.47 грн
142+5.31 грн
302+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.37 грн
37+8.26 грн
100+4.46 грн
500+3.29 грн
1000+2.28 грн
2000+1.89 грн
5000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.34 грн
76+10.03 грн
86+8.83 грн
168+4.33 грн
250+3.95 грн
500+3.75 грн
1000+1.89 грн
3000+1.84 грн
6000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
на замовлення 104425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3416LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3416LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G ONSM-S-A0005578292-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21739 шт
В кошику  од. на суму  грн.