Продукція > ONSEMI > MMBT3416LT3G
MMBT3416LT3G

MMBT3416LT3G onsemi

mmbt3416lt3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3416LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3416LT3G за ціною від 1.35 грн до 12.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.06 грн
1000+1.52 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
на замовлення 104425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
43+7.81 грн
71+4.62 грн
115+2.47 грн
500+2.04 грн
1000+1.62 грн
2500+1.55 грн
5000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+7.83 грн
176+4.70 грн
282+2.92 грн
500+2.06 грн
1000+1.52 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
37+8.48 грн
100+4.57 грн
500+3.37 грн
1000+2.34 грн
2000+1.94 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3416LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.06 грн
1000+1.52 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
на замовлення 104425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
43+7.81 грн
71+4.62 грн
115+2.47 грн
500+2.04 грн
1000+1.62 грн
2500+1.55 грн
5000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3416LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
106+7.83 грн
176+4.70 грн
282+2.92 грн
500+2.06 грн
1000+1.52 грн
5000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.69 грн
37+8.48 грн
100+4.57 грн
500+3.37 грн
1000+2.34 грн
2000+1.94 грн
5000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.