на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3904FA-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMBT3904FA-7B за ціною від 5.19 грн до 42.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3904FA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0806-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 435 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904FA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904FA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904FA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0806-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 435 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 189503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904FA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo |
на замовлення 17161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904FA-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBT3904FA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 435mW; X2-DFN0806-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 435mW Case: X2-DFN0806-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MMBT3904FA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 435mW; X2-DFN0806-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 435mW Case: X2-DFN0806-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.5A |
товару немає в наявності |