MMBT3904LP-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 17.66 грн |
| 35+ | 11.73 грн |
| 44+ | 9.51 грн |
| 52+ | 8.04 грн |
| 100+ | 6.72 грн |
| 500+ | 4.59 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3904LP-7 DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT3904LP-7 за ціною від 2.60 грн до 22.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3904LP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |