MMBT3904LP-7

MMBT3904LP-7 DIODES INC.


DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.62 грн
102+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3904LP-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT3904LP-7 за ціною від 2.52 грн до 21.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 40V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.13 грн
35+11.38 грн
44+9.23 грн
52+7.80 грн
100+6.52 грн
500+4.45 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.35 грн
32+10.26 грн
100+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
на замовлення 25090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.35 грн
32+11.33 грн
100+6.11 грн
500+4.51 грн
1000+3.97 грн
3000+2.75 грн
6000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 40V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.56 грн
21+14.18 грн
26+11.07 грн
50+9.36 грн
100+7.83 грн
500+5.35 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+21.76 грн
63+13.62 грн
102+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Inc 40196171966665184ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.