Продукція > DIODES INCORPORATED > MMBT3904LP-7
MMBT3904LP-7

MMBT3904LP-7 Diodes Incorporated

ds31835.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.64 грн
21+15.98 грн
100+10.06 грн
500+6.28 грн
1000+5.52 грн
3000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3904LP-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3904LP-7 за ціною від 151.16 грн до 151.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.