Продукція > DIODES ZETEX > MMBT3904LP-7
MMBT3904LP-7

MMBT3904LP-7 Diodes Zetex

ds31835.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+4.46 грн
15000+4.41 грн
21000+4.37 грн
30000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3904LP-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMBT3904LP-7 за ціною від 3.74 грн до 31.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+4.80 грн
15000+4.75 грн
21000+4.70 грн
30000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 867000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.38 грн
6000+4.69 грн
9000+4.44 грн
15000+3.91 грн
21000+3.75 грн
30000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.67 грн
1500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+18.98 грн
30+12.87 грн
38+10.24 грн
50+8.45 грн
100+7.00 грн
215+4.21 грн
590+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.29 грн
57+14.61 грн
121+6.86 грн
500+5.67 грн
1500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.78 грн
18+16.04 грн
25+12.29 грн
50+10.13 грн
100+8.40 грн
215+5.06 грн
590+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1123405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
18+17.32 грн
100+10.90 грн
500+7.64 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835-3215659.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
на замовлення 30481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
17+20.64 грн
100+11.33 грн
500+8.46 грн
1000+6.69 грн
3000+4.93 грн
6000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Inc 40196171966665184ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.