MMBT3904LP-7B Diodes Incorporated


ds31835.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 189940 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3904LP-7B Diodes Incorporated

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 40V, Collector current: 0.2A, Power dissipation: 1W, Case: X1-DFN1006-3, Current gain: 30...300, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 300MHz, Manufacturer standard package: 10000pcs., Pulsed collector current: 0.2A.

Інші пропозиції MMBT3904LP-7B за ціною від 19.38 грн до 19.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT3904LP-7B Diodes INC. MMBT3904LP_DiodesINC.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
10000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7B MMBT3904LP_DiodesINC.pdf
Виробник: Diodes INC.
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.