на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3904LP-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 200mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT3904LP-7B за ціною від 4.51 грн до 42.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 127446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 127446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 6750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 6750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 16035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LP-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes INC. |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА; Тексп, °С = -55...+150; DFN1006-3 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MMBT3904LP-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBT3904LP-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 40V Quantity in set/package: 10000pcs. Frequency: 300MHz |
товару немає в наявності |