
MMBT3904WT1G ON Semiconductor
на замовлення 834000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9375+ | 1.29 грн |
11451+ | 1.06 грн |
24000+ | 0.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3904WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT3904WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT3904WT1G за ціною від 0.90 грн до 11.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G Код товару: 85379
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 834000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 182017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT3904WT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 132726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MMBT3904WT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 40V Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 40V Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
товару немає в наявності |